中子勘探器关键技术完结国产化

来源:m6米乐娱乐    发布时间:2024-01-11 08:13:53 点击:1次

  每经AI快讯,10月16日,近来,我国散裂中子源(CSNS)勘探器团队使用自主研制的磁控溅射大面积镀硼专用设备,成功制备出满意中子勘探器需求的高功能大面积碳化硼薄膜样品,单片面积到达1500mm×500mm,薄膜厚度1微米,全尺度范围内厚度均匀性优于1.32%,是现在世界上用于中子勘探的最大面积的碳化硼薄膜。 (科技日报)

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